陈星弼

陈星弼是我国半导体器件及微电子学专家，毕业于上海同济大学，后长期从事半导体方面的研究和教育工作，且当选为中科院院士，被誉为中国功率器件领路人！

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陈星弼

浙江浦江人，出生于上海，半导体器件及微电子学专家，中国科学院院士，电子科技大学教授、博士生导师。陈星弼从事半导体电力电子器件的理论与结构创新方面的研究，被誉为“中国功率器件领路人”

个人生平

1931年1月28日，陈星弼出生在一个官宦之家，祖籍浙江省浦江县清塘村。

1947年，他考取了同济大学电机系，并获得奖学金。

1952年毕业于同济大学，后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。

1956年开始在成都电讯工程学院工作

1980年美国俄亥俄州大学作访问学者

1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师

1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。

1999年当选为中国科学院院士

2001年加入九三学社。

2019年12月4日，陈星弼在四川成都逝世，享年89岁。

科研成就

五十年代末，对漂移晶体管的存贮时间问题在国际上最早作了系统的理论分析。提出新的电荷法基本方程、不均匀介质中镜象电荷方程等。

八十年代以来，从事半导体电力电子器件的理论与结构创新方面的研究。从理论上解决了提高p-n结耐压的平面及非平面工艺的终端技术问题，作出了一些迄今唯一的理论分析解。

在解决MOS功率管中降低导通电阻与提高耐压之间的矛盾问题上作出了系列重要贡献。发明了耐压层的三种新结构，提高了功率器件的综合性能优值，其中横向耐压层新结构在制备工艺上与常规CMOS和BiCMOS工艺兼容，有利于发展耐高压的功率集成电路。